IRLR8259PBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

25 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

57 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

12.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.35 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

6.8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

48 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

HEXFET Power MOSFET

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

55 S

Күз уақыты:

8.9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

38 ns

Зауыттық буманың саны:

75

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

9.1 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8.4 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001558980

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IRLR8259, IRLR825, IRLR82, IRLR8, IRLR, IRL