IRFS3307ZPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

75 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

120 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

79 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

230 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

4.4 mm

Ұзындығы:

10 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

HEXFET Power MOSFET

Ені:

9.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

320 S

Күз уақыты:

65 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

64 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

38 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001576230

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IRFS3307Z, IRFS3307, IRFS330, IRFS33, IRFS3, IRFS, IRF