JAN2N3735/TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-39-3

Транзистордың полярлығы:

NPN

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

40 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

75 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

5 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

0.9 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

1.5 A

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

150 at 500 mA, 1 V

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

20 at 1 A, 1.5 V

Pd - қуаттың шығыны:

1 W

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

JAN2N3735, JAN2N373, Jan2N37, Jan2N3, Jan2N, Jan2, JAN