ZVNL110ASTZ

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-92-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

320 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

750 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

700 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.01 mm

Ұзындығы:

4.77 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

ZVNL110

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

FET

Ені:

2.41 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

225 mS

Күз уақыты:

13 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

12 ns

Зауыттық буманың саны:

2000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns

Бірлік салмағы:

0.016000 oz

Tags

ZVNL110AST, ZVNL110AS, ZVNL110A, ZVNL11, ZVNL1, ZVNL, ZVN