OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

SIA910EDJ-T1-GE3

SIA910EDJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA910EDJ-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SIA910EDJ-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SIA910EDJ-T1-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Вишай Силиконикс
Өнім санаты
IC чиптері
Сериялар
TrenchFETR
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бөлік бүркеншік аттар
SIA910EDJ-GE3
Бірлік-салмағы
0.000988 oz
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Пакет-қорап
PowerPAKR SC-70-6 Dual
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
2 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
PowerPAKR SC-70-6 Dual
Конфигурация
Қосарлы
FET түрі
2 N-Channel (Dual)
Қуат – Макс
7.8W
Транзистор түрі
2 N-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
12V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
455pF @ 6V
FET мүмкіндігі
Логикалық деңгей қақпасы
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
4.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
16nC @ 8V
Pd-қуат-диссипация
7.8 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Id-үздіксіз-ағызу-ток
4.5 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
12 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
23 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Qg-Gate-Заряд
10.5 nC
Форвард-өткізгіштік-мин
23 S
Tags
SIA910, SIA91, SIA9, SIA
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
***ical
Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
***ronik
N+N-MOS+ESD 4,5A 12V PP-SC70-6
***nell
MOSFET, DUAL N CH, 12V, 4.5A, POWERPAK; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:7.8W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SC70; No. of Pins:6; MSL:-
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SIA910EDJ-T1-GE3
DISTI # SIA910EDJ-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 3000:$0.2392
SIA910EDJ-T1-GE3
DISTI # SIA910EDJ-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.2719
  • 500:$0.3399
  • 100:$0.4589
  • 10:$0.5950
  • 1:$0.6800
SIA910EDJ-T1-GE3
DISTI # SIA910EDJ-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.2719
  • 500:$0.3399
  • 100:$0.4589
  • 10:$0.5950
  • 1:$0.6800
SIA910EDJ-T1-GE3
DISTI # SIA910EDJ-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R (Alt: SIA910EDJ-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 3000:€0.4369
  • 6000:€0.2979
  • 12000:€0.2559
  • 18000:€0.2369
  • 30000:€0.2199
SIA910EDJ-T1-GE3
DISTI # SIA910EDJ-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R - Tape and Reel (Alt: SIA910EDJ-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.2029
  • 6000:$0.1969
  • 12000:$0.1889
  • 18000:$0.1839
  • 30000:$0.1789
SIA910EDJ-T1-GE3
DISTI # 05W6927		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 05W6927)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 1
Container: Ammo Pack		Americas - 0
  • 1:$0.2500
SIA910EDJ-T1-GE3
DISTI # 97W2599		Vishay IntertechnologiesDual MOSFET, Dual N Channel, 4.5 A, 12 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.6000
  • 25:$0.4790
  • 50:$0.4220
  • 100:$0.3640
  • 250:$0.3320
  • 500:$0.3000
  • 1000:$0.2500
SIA910EDJ-T1-GE3
DISTI # 05W6927		Vishay IntertechnologiesMOSFET, DUAL N CHANNEL, 12V, 4.5A, POWERPAK SC70-6,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:4.5A,Drain Source Voltage Vds:12V,On Resistance Rds(on):0.023ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V,No. of Pins:6Pins , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.1670
  • 25:$0.1670
  • 50:$0.1670
  • 100:$0.1670
  • 250:$0.1670
  • 500:$0.1670
  • 1000:$0.1670
SIA910EDJ-T1-GE3.
DISTI # 30AC0111		Vishay IntertechnologiesDUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET , ROHS COMPLIANT: NO0
  • 1:$0.2500
  • 3000:$0.2500
SIA910EDJ-T1-GE3
DISTI # 70459579		Vishay Siliconix12V 4.5A/4.5A N-CH DUAL MOSFET
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$0.6670
  • 6000:$0.5120
SIA910EDJ-T1-GE3
DISTI # 781-SIA910EDJ-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
RoHS: Compliant		0
  • 1:$0.6000
  • 10:$0.4790
  • 100:$0.3640
  • 500:$0.3000
  • 1000:$0.2500
SIA910EDJ-T1-GE3
DISTI # 2335391		Vishay IntertechnologiesMOSFET, DUAL N CH, 12V, 4.5A, POWERPAK
RoHS: Compliant		0
  • 5:£0.4180
  • 25:£0.3920
  • 100:£0.2810
  • 250:£0.2570
  • 500:£0.2320
SIA910EDJ-T1-GE3
DISTI # 2335391		Vishay IntertechnologiesMOSFET, DUAL N CH, 12V, 4.5A, POWERPAK
RoHS: Compliant		0
  • 1:$0.9500
  • 10:$0.7590
  • 100:$0.5770
  • 500:$0.4750
  • 1000:$0.3960
  • 3000:$0.3960
SIA910EDJ-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
RoHS: Compliant		Americas - Stock
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    SIA910EDJ-T1-GE3

    Mfr.#: SIA910EDJ-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SIA910EDJ-T1-GE3

    		 MOSFET 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
    SIA910EDJ-T1-GE3-CUT TAPE

    Mfr.#: SIA910EDJ-T1-GE3-CUT TAPE

    OMO.#: OMO-SIA910EDJ-T1-GE3-CUT-TAPE-1190

    		 Жаңа және түпнұсқа
    SIA910EDJ-T1-GE3

    Mfr.#: SIA910EDJ-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SIA910EDJ-T1-GE3-VISHAY

    		 MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
    SIA910EDJT1GE3

    Mfr.#: SIA910EDJT1GE3

    OMO.#: OMO-SIA910EDJT1GE3-1190

    		 Жаңа және түпнұсқа
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    2000
    Саны енгізіңіз:
    SIA910EDJ-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    0,26 $
    0,26 $
    10
    0,24 $
    2,44 $
    100
    0,23 $
    23,07 $
    500
    0,22 $
    108,95 $
    1000
    0,21 $
    205,10 $
    2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
    -ден бастаңыз
    Top