NTJD4152PT1G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

880 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

450 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

1.8 V

Qg - қақпа заряды:

2.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

272 mW

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.9 mm

Ұзындығы:

2 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

NTJD4152P

Транзистор түрі:

2 P-Channel

Түрі:

MOSFET

Ені:

1.25 mm

Бренд:

ON Жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

3 S

Күз уақыты:

3.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6.5 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

13.5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.8 ns

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

NTJD4152PT1G, NTJD4152PT1, NTJD4152PT, NTJD4152, NTJD415, NTJD41, NTJD4, NTJD, NTJ