FDMS86200E

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PQFN-56

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

150 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

35 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

18 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

33 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

104 W

Конфигурация:

Жалғыз үш көзді төрт ағызу

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel PowerTRENCH MOSFET

Бренд:

ON Жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

33 S

Күз уақыты:

5.8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

7.9 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

27 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Tags

FDMS86200, FDMS8620, FDMS862, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM