DMN63D8L-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

350 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.8 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

800 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

0.9 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

520 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.975 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Серия:

DMN63D8L

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

1.3 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

80 mS

Күз уақыты:

16.7 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.9 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

11.4 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.3 ns

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

DMN63D8, DMN63D, DMN63, DMN6, DMN