IRF7406GTRPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

45 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Qg - қақпа заряды:

59 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

3.1 S

Күз уақыты:

47 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

33 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001563604

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

IRF7406, IRF740, IRF74, IRF7, IRF