BSO080P03NS3E G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

14.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

8 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Qg - қақпа заряды:

- 61 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Серия:

OptiMOS 3P3

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

44 S

Күз уақыты:

19 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

47 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

64 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSO080P03NS3EGXUMA1 BSO8P3NS3EGXT SP000472992

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

BSO080P03NS3EG, BSO080P03NS3E, BSO080P03NS3, BSO080P03N, BSO080P0, BSO080, BSO08, BSO0, BSO