IPP093N06N3 G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

50 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

9 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

36 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

71 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

15.65 mm

Ұзындығы:

10 mm

Серия:

OptiMOS 3

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

OptiMOS 3 Power-Transistor

Ені:

4.4 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

55 S, 28 S

Күз уақыты:

5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

40 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPP093N06N3GXKSA1 IPP93N6N3GXK SP000680852

Бірлік салмағы:

0.211644 oz

Tags

IPP093, IPP09, IPP0, IPP