SUP85N10-10-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

E

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

85 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

8.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

160 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

250 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

15.49 mm

Ұзындығы:

10.41 mm

Серия:

SUP

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.7 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

25 S

Күз уақыты:

130 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

90 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

55 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns

Бірлік салмағы:

0.211644 oz

Tags

SUP85N10-1, SUP85N10, SUP85N1, SUP85N, SUP85, SUP8, SUP