IPB180P04P4-03

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PG-TO-263-7

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

180 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

190 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

150 W

Конфигурация:

Бойдақ

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.4 mm

Ұзындығы:

10 mm

Серия:

OptiMOS-P2

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

81 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

31 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

72 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

48 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPB180P04P403ATMA1 IPB18P4P43XT SP000840202

Бірлік салмағы:

0.056438 oz

Tags

IPB180P04P4, IPB180P, IPB18, IPB1, IPB