APTM10HM19FT3G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

RoHS:

Y

Өнім:

Power MOSFET модульдері

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Орнату стилі:

Бұрандалы бекіту

Пакет/қорап:

SP-32

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Қаптама:

Түтік

Конфигурация:

Бойдақ

Биіктігі:

11.5 mm

Ұзындығы:

73.4 mm

Ені:

40.8 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Күз уақыты:

125 ns

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

70 A

Pd - қуаттың шығыны:

208 W

Өнім түрі:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

19 mOhms

Көтеру уақыты:

70 ns

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Сауда атауы:

POWER MOS V

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

95 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Tags

APTM10H, APTM10, APTM1, APTM, APT