SIZ914DT-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAIR-6x5-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

16 A, 40 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5.3 mOhms, 1.14 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V, 1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V, - 16 V

Qg - қақпа заряды:

26 nC, 99 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

22.7 W, 100 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.75 mm

Ұзындығы:

6 mm

Серия:

SIZ

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

5 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

55 S, 68 S

Күз уақыты:

5 ns, 19 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11 ns, 127 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns, 40 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns, 40 ns

Tags

SIZ91, SIZ9, SiZ