IPP100N08S2L-07

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

75 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

100 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

246 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

15.65 mm

Ұзындығы:

10 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.4 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

22 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

56 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

85 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPP100N08S2L07AKSA1 IPP1N8S2L7XK SP000219052

Бірлік салмағы:

0.211644 oz

Tags

IPP100N08S2L, IPP100N08S, IPP100N08, IPP100N0, IPP100N, IPP100, IPP10, IPP1, IPP