TPS1101DR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOIC-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

15 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

90 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

2 V, - 15 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 125 C

Pd - қуаттың шығыны:

791 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

TPS1101

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Түрі:

PMOS қосқыштары

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Texas Instruments

Күз уақыты:

5.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5.5 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.5 ns

Бірлік салмағы:

0.002677 oz

Tags

TPS1101D, TPS1101, TPS110, TPS11, TPS1, TPS