FDPF18N20FT-G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220FP-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

18 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

140 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

20 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

35 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

UniFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

16.07 mm

Ұзындығы:

10.36 mm

Серия:

FDPF18N20FT_G

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.9 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Форвард өткізгіштік - Мин:

13.6 S

Күз уақыты:

40 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

50 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

50 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

FDPF18N20FT_G

Бірлік салмағы:

0.080072 oz

Tags

FDPF18N20F, FDPF18N2, FDPF18, FDPF1, FDPF, FDP