F3L15MR12W2M1B69BOMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

RoHS:

Y

Өнім:

Power MOSFET модульдері

Түрі:

CoolSiC MOSFET

Vf - алға кернеу:

4.6 V at 75 A

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

- 10 V, 20 V

Орнату стилі:

Бұрандалы бекіту

Пакет/қорап:

AG-EASY2BM-2

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Қаптама:

Науа

Конфигурация:

3-Level

Бренд:

Infineon Technologies

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Күз уақыты:

18 ns

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

75 A

Өнім түрі:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

15 mOhms

Көтеру уақыты:

13 ns

Зауыттық буманың саны:

15

Ішкі санат:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Сауда атауы:

EasyPACK CoolSiC MOSFET

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

64 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

24 ns

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1200 V

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.45 V

Бөлім # Бүркеншік аттар:

F3L15MR12W2M1_B69 SP001710612

Tags

F3L15, F3L1, F3L