SIHF12N50C-E3

SIHF12N50C-E3
Mfr. #:
SIHF12N50C-E3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
RF Bipolar Transistors MOSFET N-Channel 500V
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SIHF12N50C-E3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SIHF12N50C-E3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
ВИШАЙ
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Сериялар
E
Қаптама
Ролик
Бірлік-салмағы
0.211644 oz
Монтаждау стилі
Тесік арқылы
Пакет-қорап
TO-220-3
Технология
Си
Арналар саны
1 Channel
Конфигурация
Бойдақ
Транзистор түрі
1 N-Channel
Pd-қуат-диссипация
36 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 125 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
30 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
12 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
500 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
460 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Qg-Gate-Заряд
32 nC
Форвард-өткізгіштік-мин
3 S
Tags
SIHF12N, SIHF12, SIHF1, SIHF, SIH
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
SiHx12N50C-E3 500V N-Channel Power MOSFETs
Vishay Siliconix SiHx12N50C-E3 500V, 12A N-Channel Power MOSFETs with ultra-low 0.555-Ω maximum on-resistance at a 10V gate drive and an improved gate charge of 48nC. The low on-resistance of the Vishay Siliconix SiHP12N50C-E3 (TO-220 package), SiHF12N50C-E3 (TO-220 FULLPAK), and SiHB12N50C-E3 (D²PAK) translates into lower conduction losses that save energy in power factor correction (PFC) boost circuits, pulse width modulation (PWM) half bridges, and LLC topologies in a wide range of applications, including notebook computer AC adapters, PCs, LCD TVs, and open-frame power supplies. SiHx12N50C-E3 500V Power MOSFETs feature a gate charge of 48nC. Gate charge times on-resistance is a low 26.54Ω-nC. These Vishay Siliconix Power MOSFETs are produced using Vishay Planar Cell technology, which has been tailored to minimize on-state resistance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation mode. The SiHP12N50C-E3, SiHG12N50C-E3, and SiHB12N50C-E3 offer improved switching speed and conduction losses compared to previous-generation MOSFETs.Learn More
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SIHF12N50C-E3
DISTI # SIHF12N50C-E3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 12A TO-220
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 1000:$2.9106
SIHF12N50C-E3
DISTI # SIHF12N50C-E3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak - Tape and Reel (Alt: SIHF12N50C-E3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel
Americas - 0
  • 1000:$2.6900
  • 2000:$2.5900
  • 4000:$2.4900
  • 6000:$2.3900
  • 10000:$2.3900
SIHF12N50C-E3
DISTI # 781-SIHF12N50C-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET N-Channel 500V
RoHS: Compliant
0
  • 1:$5.3000
  • 10:$4.3900
  • 100:$3.6100
  • 250:$3.5000
  • 500:$3.1400
  • 1000:$2.6500
  • 2500:$2.5200
SIHF12N50C-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET N-Channel 500V
RoHS: Compliant
Americas -
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    SIHF12N50C-E3

    Mfr.#: SIHF12N50C-E3

    OMO.#: OMO-SIHF12N50C-E3

    MOSFET N-Channel 500V
    SIHF12N65E-GE3

    Mfr.#: SIHF12N65E-GE3

    OMO.#: OMO-SIHF12N65E-GE3

    MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
    SIHF12N60E-E3

    Mfr.#: SIHF12N60E-E3

    OMO.#: OMO-SIHF12N60E-E3

    MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
    SIHF12N60E-GE3

    Mfr.#: SIHF12N60E-GE3

    OMO.#: OMO-SIHF12N60E-GE3

    MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
    SIHF12N50C-E3

    Mfr.#: SIHF12N50C-E3

    OMO.#: OMO-SIHF12N50C-E3-VISHAY

    RF Bipolar Transistors MOSFET N-Channel 500V
    SIHF122N50C-E3

    Mfr.#: SIHF122N50C-E3

    OMO.#: OMO-SIHF122N50C-E3-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    SIHF12N60E

    Mfr.#: SIHF12N60E

    OMO.#: OMO-SIHF12N60E-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    SIHF12N60E-E3

    Mfr.#: SIHF12N60E-E3

    OMO.#: OMO-SIHF12N60E-E3-VISHAY

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
    SIHF12N60EGE3

    Mfr.#: SIHF12N60EGE3

    OMO.#: OMO-SIHF12N60EGE3-1190

    Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
    SIHF12N65E

    Mfr.#: SIHF12N65E

    OMO.#: OMO-SIHF12N65E-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    2500
    Саны енгізіңіз:
    SIHF12N50C-E3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    3,58 $
    3,58 $
    10
    3,41 $
    34,06 $
    100
    3,23 $
    322,65 $
    500
    3,05 $
    1 523,65 $
    1000
    2,87 $
    2 868,00 $
    -ден бастаңыз
    Top