IPB060N15N5ATMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-7

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

150 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

136 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

68 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

250 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Серия:

OptiMOS 5

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

53 S

Күз уақыты:

4.1 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.3 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

22.2 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

14.9 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPB060N15N5 SP001607814

Бірлік салмағы:

0.051500 oz

Tags

IPB06, IPB0, IPB