FDB12N50FTM-WS

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

590 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

165 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.83 mm

Ұзындығы:

10.67 mm

Серия:

FDB12N50F

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.65 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Күз уақыты:

35 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

45 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

50 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

21 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

FDB12N50FTM_WS

Бірлік салмағы:

0.046296 oz

Tags

FDB12N50FT, FDB12N50F, FDB12N5, FDB12N, FDB12, FDB1, FDB