BSC0910NDI

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PG-TISON-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

25 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

40 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.2 mOhms, 4.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

5 nC, 23 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.5 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.27 mm

Ұзындығы:

5.9 mm

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

5.15 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

42 S, 85 S

Күз уақыты:

2.4 ns, 4.1 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.6 ns, 5.6 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns, 28 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.4 ns, 5.6 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSC0910NDIATMA1 SP000998052

Бірлік салмағы:

0.003591 oz

Tags

BSC091, BSC09, BSC0, BSC