STP9N80K5

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

900 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

12 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

110 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

MDmesh

Қаптама:

Түтік

Серия:

STP9N80K5

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

13.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5.7 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

65.3 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Бірлік салмағы:

0.063493 oz

Tags

STP9N, STP9, STP