DMN16M9UCA6-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна, NPN

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

500 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

35.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.4 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

3812 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

1447 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

2736 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

615 ns

Tags

DMN16, DMN1, DMN