PMV65XPER

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Nexperia

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

67 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.25 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

9 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

890 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

Nexperia

Форвард өткізгіштік - Мин:

7.4 S

Күз уақыты:

17 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

19 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

36 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

PMV65XPE, PMV65X, PMV65, PMV6, PMV