STGE50NC60VD

STGE50NC60VD
Mfr. #:
STGE50NC60VD
Өндіруші:
STMicroelectronics
Сипаттама:
IGBT Transistors N-chnl 50A-600V PowerMESH
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
STGE50NC60VD Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
STGE50NC60VD Көбірек ақпарат STGE50NC60VD Product Details
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
STMicroelectronics
Өнім санаты:
IGBT транзисторлары
RoHS:
Y
Технология:
Си
Пакет/қорап:
ISOTOP-4
Орнату стилі:
Тесік арқылы
Конфигурация:
Бірыңғай қос эмитент
Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:
600 V
Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:
20 V
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Серия:
STGE50NC60VD
Қаптама:
Түтік
Үздіксіз коллектор ток Ic макс:
80 A
Биіктігі:
9.1 mm
Ұзындығы:
38.2 mm
Ені:
25.5 mm
Бренд:
STMicroelectronics
Өнім түрі:
IGBT транзисторлары
Зауыттық буманың саны:
10
Ішкі санат:
IGBT
Бірлік салмағы:
1 oz
Tags
STGE5, STGE, STG
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
Igbt Single Transistor, 90 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, Isotop, 4 Rohs Compliant: Yes
***et Europe
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 4-Pin ISOTOP Tube
***ronik
IGBT 600V 90A 2.5V ISOTOP RoHSconf
***th Star Micro
IGBT 50A 600V ISOTOP
***ied Electronics & Automation
STMicroelectronics, STGE50NC60VD
***Components
STMicroelectronics STGE50NC60VD
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. IGBT, N 600V 50A ISOTOP; DC Collector Current:90A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.5V; Power Dissipation Pd:260W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:ISOTOP; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015); Current Ic Continuous a Max:50A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation Max:260W; Pulsed Current Icm:200A; Rise Time:17ns; Termination Type:Surface Mount Device; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:IGBT; Voltage Vces:600V
***nell
IGBT, N 600V 50A ISOTOP; Corrente di Collettore CC:90A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on):2.5V; Dissipazione di Potenza Pd:260W; Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo:600V; Modello Case Transistor:ISOTOP; No. di Pin:4Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (17-Dec-2015); Corrente Ic Continua a Max:50A; Corrente Pulsata Icm:200A; Dissipazione di Potenza Max:260W; Intervallo Temperatura di Esercizio:Da -55°C a +150°C; Polarità Transistor:Canale N; Temperatura di Esercizio Min:-55°C; Tempo di Salita:17ns; Tensione Vces:600V; Tipo di Terminazione:Dispositivo a Montaggio Superficiale; Tipo di Transistor:IGBT
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
STGE50NC60VD
DISTI # 497-7011-5-ND
STMicroelectronicsIGBT 50A 600V ISOTOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 100
Container: Tube
Limited Supply - Call
    STGE50NC60VD
    DISTI # 511-STGE50NC60VD
    STMicroelectronicsIGBT Transistors N-chnl 50A-600V PowerMESH
    RoHS: Compliant
    0
      STGE50NC60VDSTMicroelectronics 
      RoHS: Compliant
      Europe - 5
        Сурет Бөлім № Сипаттама
        STGE50NC60VD

        Mfr.#: STGE50NC60VD

        OMO.#: OMO-STGE50NC60VD

        IGBT Transistors N-chnl 50A-600V PowerMESH
        STGE50NC60WD

        Mfr.#: STGE50NC60WD

        OMO.#: OMO-STGE50NC60WD

        IGBT Transistors N-Ch 600volt 50 Amp
        STGE50NC60VD

        Mfr.#: STGE50NC60VD

        OMO.#: OMO-STGE50NC60VD-STMICROELECTRONICS

        IGBT Transistors N-chnl 50A-600V PowerMESH
        STGE50NC60WD

        Mfr.#: STGE50NC60WD

        OMO.#: OMO-STGE50NC60WD-STMICROELECTRONICS

        IGBT Transistors N-Ch 600volt 50 Amp
        STGE50N60D

        Mfr.#: STGE50N60D

        OMO.#: OMO-STGE50N60D-1190

        Жаңа және түпнұсқа
        STGE50NB60HD

        Mfr.#: STGE50NB60HD

        OMO.#: OMO-STGE50NB60HD-STMICROELECTRONICS

        IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP
        Қол жетімділік
        Қор:
        Available
        Тапсырыс бойынша:
        3500
        Саны енгізіңіз:
        STGE50NC60VD ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
        -ден бастаңыз
        Ең жаңа өнімдер
        • PWD13F60 High-Density Power Driver
          STMicroelectronics' PWD13F60 integrated power MOSFET full bridge with embedded gate drivers in a 13 mm x 10 mm outline.
        • STSPIN32F0 Motor-Control System
          STMicroelectronics' STSPIN32F0 motor-control system-in-package combines the power and flexibility of a microcontroller-based drive with ease of use and space efficiency.
        • STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs
          STMicroelectronics' 80 V MOSFETs with DeepGATE process integration result a more efficient and denser design in applications such as motor control and DC/DC converters.
        • ESDA8P30-1T2 TVS Diode
          STMicroelectronics' ESDA8P30-1T2 unidirectional, single-line TVS diode provides USB VBUS, power supply, and battery protection.
        • Compare STGE50NC60VD
          STGE50N60D vs STGE50NB60HD vs STGE50NC60VD
        • CLOUD-ST25TA02KB Evaluation Board
          STMicroelectronics' CLOUD-ST25TA02KB evaluation board for the ST25TA02KB-P device can be configured for various uses such as indicating field detection.
        Top