RT1A060APTR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSST-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

14 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

80 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.25 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

RT1A060AP

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

260 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

100 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

580 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

RT1A060AP

Tags

RT1A0, RT1A, RT1