PMN120ENEX

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Nexperia

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSOP-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.1 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

123 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

7.4 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.4 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Бренд:

Nexperia

Форвард өткізгіштік - Мин:

10.2 S

Күз уақыты:

6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6 ns

Tags

PMN1, PMN