DMN3030LSS-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

9 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

18 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.5 mm

Ұзындығы:

4.95 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

DMN3030

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.95 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

14 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.5 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.2 ns

Бірлік салмағы:

0.030018 oz

Tags

DMN3030LS, DMN3030, DMN303, DMN30, DMN3, DMN