TPS1120DG4

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOIC-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

15 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

180 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

2 V, - 15 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 125 C

Pd - қуаттың шығыны:

840 mW

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

TPS1120

Транзистор түрі:

2 P-Channel

Түрі:

Қосарлы P-арнасын жақсарту режимі

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

2.5 S

Күз уақыты:

10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns

Зауыттық буманың саны:

75

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.5 ns

Бірлік салмағы:

0.002677 oz

Tags

TPS1120D, TPS112, TPS11, TPS1, TPS