APTGF50VDA120T3G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

IGBT модульдері

RoHS:

Y

Өнім:

IGBT кремний модульдері

Конфигурация:

Қосарлы

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

1.2 kV

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

3.2 V

Үздіксіз коллектор тогы 25 С:

70 A

Шлюз-эмиттер ағып кету тогы:

100 nA

Pd - қуаттың шығыны:

312 W

Пакет/қорап:

SP-3

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Биіктігі:

11.5 mm

Ұзындығы:

73.4 mm

Жұмыс температурасының диапазоны:

- 40 C to + 150 C

Ені:

40.8 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Орнату стилі:

Шасси бекіткіші

Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:

20 V

Өнім түрі:

IGBT модульдері

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

IGBT

Tags

APTGF5, APTGF, APTG, APT