IXFA7N100P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.9 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

6 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

47 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 W

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

4.83 mm

Ұзындығы:

9.65 mm

Серия:

IXFA7N100

Түрі:

Polar HiPerFET Power MOSFET

Ені:

10.41 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

3.6 S

Күз уақыты:

44 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

49 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

42 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Бірлік салмағы:

0.056438 oz

Tags

IXFA7N, IXFA7, IXFA, IXF