SIA433EDJ-T1-GE3

SIA433EDJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA433EDJ-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SIA433EDJ-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIA433EDJ-T1-GE3 DatasheetSIA433EDJ-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SIA433EDJ-T1-GE3 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Вишай Силиконикс
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Сериялар
TrenchFETR
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бөлік бүркеншік аттар
SIA433EDJ-GE3
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Пакет-қорап
PowerPAKR SC-70-6
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
1 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
PowerPAKR SC-70-6 Single
Конфигурация
Бойдақ
FET түрі
MOSFET P-арнасы, металл оксиді
Қуат – Макс
19W
Транзистор түрі
1 P-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
20V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
-
FET мүмкіндігі
Стандартты
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
12A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
18 mOhm @ 7.6A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1.2V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
75nC @ 8V
Pd-қуат-диссипация
19 W
Күз уақыты
3.2 us
Көтерілу уақыты
1.7 us
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
12 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
- 12 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
- 20 V
Vgs-th-Gate-Көзі-Табалдырық-кернеу
- 1.2 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
18 mOhms
Транзистор-полярлық
P-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
6 us
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
0.71 us
Qg-Gate-Заряд
50 nC
Форвард-өткізгіштік-мин
35 S
Tags
SIA433, SIA43, SIA4, SIA
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SIA433EDJ-T1-GE3
DISTI # V72:2272_09216837
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
RoHS: Compliant
644
  • 500:$0.3232
  • 250:$0.3761
  • 100:$0.3771
  • 25:$0.4647
  • 10:$0.4666
  • 1:$0.5489
SIA433EDJ-T1-GE3
DISTI # SIA433EDJ-T1-GE3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
7836In Stock
  • 1000:$0.3263
  • 500:$0.4079
  • 100:$0.5506
  • 10:$0.7140
  • 1:$0.8200
SIA433EDJ-T1-GE3
DISTI # SIA433EDJ-T1-GE3DKR-ND
Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
7836In Stock
  • 1000:$0.3263
  • 500:$0.4079
  • 100:$0.5506
  • 10:$0.7140
  • 1:$0.8200
SIA433EDJ-T1-GE3
DISTI # SIA433EDJ-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
3000In Stock
  • 3000:$0.2871
SIA433EDJ-T1-GE3
DISTI # 29553397
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
RoHS: Compliant
644
  • 500:$0.3232
  • 250:$0.3761
  • 100:$0.3771
  • 28:$0.4647
SIA433EDJ-T1-GE3
DISTI # SIA433EDJ-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R (Alt: SIA433EDJ-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel
Asia - 0
    SIA433EDJ-T1-GE3
    DISTI # SIA433EDJ-T1-GE3
    Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R - Tape and Reel (Alt: SIA433EDJ-T1-GE3)
    RoHS: Not Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Reel
    Americas - 0
    • 3000:$0.3219
    • 6000:$0.3119
    • 12000:$0.2999
    • 18000:$0.2909
    • 30000:$0.2829
    SIA433EDJ-T1-GE3
    DISTI # SIA433EDJ-T1-GE3
    Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R (Alt: SIA433EDJ-T1-GE3)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Tape and Reel
    Europe - 0
    • 3000:€0.5619
    • 6000:€0.3829
    • 12000:€0.3299
    • 18000:€0.3049
    • 30000:€0.2829
    SIA433EDJ-T1-GE3
    DISTI # 79R5403
    Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 79R5403)
    RoHS: Not Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Ammo Pack
    Americas - 0
    • 1:$0.7200
    • 25:$0.5750
    • 50:$0.5060
    • 100:$0.4360
    • 250:$0.3980
    • 500:$0.3600
    • 1000:$0.2880
    SIA433EDJ-T1-GE3
    DISTI # 79R5403
    Vishay IntertechnologiesP CHANNEL MOSFET,Transistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-12A,Drain Source Voltage Vds:-20V,On Resistance Rds(on):18mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V,Threshold Voltage Vgs:-500mV,Power Dissipation Pd:3.5W , RoHS Compliant: Yes0
    • 1:$0.7200
    • 25:$0.5750
    • 50:$0.5060
    • 100:$0.4360
    • 250:$0.3980
    • 500:$0.3600
    • 1000:$0.2880
    SIA433EDJ-T1-GE3
    DISTI # 74R0197
    Vishay IntertechnologiesP CH MOSFET,Continuous Drain Current Id:-12A,Drain Source Voltage Vds:-20V,No. of Pins:6,On Resistance Rds(on):18mohm,Operating Temperature Max:150°C,Operating Temperature Min:-55°C,Operating Temperature Range:-55°C to +150°C , RoHS Compliant: Yes0
    • 1:$0.2670
    • 3000:$0.2650
    • 6000:$0.2520
    • 12000:$0.2240
    SIA433EDJ-T1-GE3
    DISTI # 70459574
    Vishay Siliconix-20V [email protected] 12A P-Ch G-III
    RoHS: Compliant
    0
    • 3000:$0.3580
    • 6000:$0.3330
    SIA433EDJ-T1-GE3
    DISTI # 781-SIA433EDJ-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
    RoHS: Compliant
    275
    • 1:$0.7200
    • 10:$0.5750
    • 100:$0.4360
    • 500:$0.3600
    • 1000:$0.2880
    • 3000:$0.2610
    • 6000:$0.2440
    SIA433EDJ-T1-GE3Vishay Siliconix 5750
    • 9:$0.6000
    • 35:$0.3900
    • 130:$0.2250
    • 446:$0.1920
    • 965:$0.1680
    • 2293:$0.1560
    SIA433EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 20V, 0.018OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET4600
    • 3847:$0.2000
    • 834:$0.2080
    • 1:$0.8000
    SIA433EDJT1GE3Vishay Intertechnologies 
    RoHS: Compliant
    Europe - 3000
      SIA433EDJ-T1-GE3
      DISTI # 2679708
      Vishay IntertechnologiesMOSFET, P-CH, -20V, -12A, POWERPAK SC70
      RoHS: Compliant
      0
      • 3000:£0.2080
      • 9000:£0.2070
      SIA433EDJ-T1-GE3.
      DISTI # 1867633
      Vishay IntertechnologiesP CHANNEL MOSFET
      RoHS: Compliant
      0
      • 1:£0.6330
      • 25:£0.5050
      • 50:£0.4440
      • 100:£0.3840
      • 250:£0.3500
      SIA433EDJ-T1-GE3
      DISTI # C1S803601064547
      Vishay IntertechnologiesMOSFETs
      RoHS: Not Compliant
      644
      • 250:$0.3761
      • 100:$0.3771
      • 25:$0.4648
      • 10:$0.4666
      SIA433EDJ-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
      RoHS: Compliant
      Americas - Stock
        SIA433EDJ-T1-GE3
        DISTI # 2646398
        Vishay IntertechnologiesMOSFET, P-CH, -20V, -12A, POWERPAK SC70
        RoHS: Compliant
        0
        • 1:$1.1500
        • 10:$0.9110
        • 100:$0.6900
        • 500:$0.5710
        • 1000:$0.4560
        • 3000:$0.4320
        SIA433EDJ-T1-GE3
        DISTI # 2679708
        Vishay IntertechnologiesMOSFET, P-CH, -20V, -12A, POWERPAK SC70
        RoHS: Compliant
        0
        • 3000:$0.4030
        • 6000:$0.3930
        • 9000:$0.3900
        SIA433EDJ-T1-GE3.
        DISTI # 1867633
        Vishay IntertechnologiesP CHANNEL MOSFET
        RoHS: Compliant
        4247
        • 1:$1.1100
        • 50:$0.9070
        • 100:$0.6990
        • 500:$0.5830
        • 1000:$0.5000
        • 2500:$0.4710
        Сурет Бөлім № Сипаттама
        SIA433EDJ-T1-GE3-CUT TAPE

        Mfr.#: SIA433EDJ-T1-GE3-CUT TAPE

        OMO.#: OMO-SIA433EDJ-T1-GE3-CUT-TAPE-1190

        Жаңа және түпнұсқа
        SIA433EDJ

        Mfr.#: SIA433EDJ

        OMO.#: OMO-SIA433EDJ-1190

        Жаңа және түпнұсқа
        SIA433EDJ-T1-GE3

        Mfr.#: SIA433EDJ-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SIA433EDJ-T1-GE3-VISHAY

        MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
        SIA433EDJT1GE3

        Mfr.#: SIA433EDJT1GE3

        OMO.#: OMO-SIA433EDJT1GE3-1190

        Жаңа және түпнұсқа
        Қол жетімділік
        Қор:
        Available
        Тапсырыс бойынша:
        5000
        Саны енгізіңіз:
        SIA433EDJ-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
        Анықтамалық баға (USD)
        Саны
        Тауар өлшемінің бағасы
        Қосымша. Бағасы
        1
        0,23 $
        0,23 $
        10
        0,22 $
        2,22 $
        100
        0,21 $
        21,06 $
        500
        0,20 $
        99,45 $
        1000
        0,19 $
        187,20 $
        -ден бастаңыз
        Top