APT10M11JVRU3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

RoHS:

Y

Өнім:

Power MOSFET модульдері

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Орнату стилі:

Бұрандалы бекіту

Пакет/қорап:

SOT-227-4

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Қаптама:

Түтік

Конфигурация:

Бойдақ

Биіктігі:

9.6 mm

Ұзындығы:

38.2 mm

Ені:

25.4 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Күз уақыты:

9 ns

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

142 A

Pd - қуаттың шығыны:

450 W

Өнім түрі:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

11 mOhms

Көтеру уақыты:

48 ns

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Сауда атауы:

POWER MOS V, ISOTOP

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

51 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Бірлік салмағы:

1.058219 oz

Tags

APT10M11J, APT10M11, APT10M1, APT10M, APT10, APT1, APT