IXBN75N170A

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

IGBT транзисторлары

RoHS:

Y

Технология:

Си

Пакет/қорап:

SOT-227B-4

Орнату стилі:

SMD/SMT

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

1.7 kV

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

4.95 V

Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:

20 V

Үздіксіз коллектор тогы 25 С:

75 A

Pd - қуаттың шығыны:

625 W

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Серия:

IXBN75N170

Қаптама:

Түтік

Үздіксіз коллектор ток Ic макс:

350 A

Биіктігі:

9.6 mm

Ұзындығы:

38.23 mm

Жұмыс температурасының диапазоны:

- 55 C to + 150 C

Ені:

25.42 mm

Бренд:

IXYS

Үздіксіз коллекторлық ток:

75 A

Шлюз-эмиттер ағып кету тогы:

100 nA

Өнім түрі:

IGBT транзисторлары

Зауыттық буманың саны:

10

Ішкі санат:

IGBT

Сауда атауы:

BIMOSFET

Бірлік салмағы:

1.058219 oz

Tags

IXBN7, IXBN, IXB