BC856BMBYL

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Nexperia

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DFN-1006-3

Транзистордың полярлығы:

PNP

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

- 60 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

- 80 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

- 6 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

- 200 mV

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

- 100 mA

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

100 MHz

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

475 at - 2 mA, - 5 V

Қаптама:

Ролик

Бренд:

Nexperia

Үздіксіз коллекторлық ток:

- 100 mA

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

220 at - 2 mA, - 5 V

Pd - қуаттың шығыны:

250 mW

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Біліктілік:

AEC-Q101

Зауыттық буманың саны:

10000

Ішкі санат:

Транзисторлар

Бірлік салмағы:

0.000024 oz

Tags

BC856BM, BC856B, BC856, BC85, BC8