STP13N60DM2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

365 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

19 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

110 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

10.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.8 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

42.5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12.3 ns

Tags

STP13N60, STP13N6, STP13N, STP13, STP1, STP