SPD15P10P G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PG-TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

15 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

240 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

37 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

128 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

SIPMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Серия:

SPD15P10

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

4.7 S

Күз уақыты:

16 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

23 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

33 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9.5 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP000212233 SPD15P10PGBTMA1 SPD15P1PGXT

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

SPD15P10PG, SPD15P10P, SPD15P, SPD15, SPD1, SPD