DMN3018SSS-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOIC-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

21 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

13.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.7 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

DMN3018

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

4.1 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.4 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

20.1 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.3 ns

Бірлік салмағы:

0.002610 oz

Tags

DMN3018SSS, DMN3018SS, DMN3018, DMN301, DMN30, DMN3, DMN