DDB2U50N08W1RB23BOMA2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

RoHS:

Y

Өнім:

Диодтық қуат модульдері

Түрі:

Түзеткіш диод модулі

Vf - алға кернеу:

1.1 V

Vr - Кері кернеу:

800 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Орнату стилі:

Fit түймесін басыңыз

Пакет/қорап:

Модуль

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 125 C

Қаптама:

Науа

Биіктігі:

12 mm

Ұзындығы:

62.8 mm

Технология:

SiC

Ені:

33.8 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Күз уақыты:

30 ns

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

50 A

Егер - Форвард ток:

50 A

Өнім түрі:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

20 mOhms

Көтеру уақыты:

45 ns

Зауыттық буманың саны:

24

Ішкі санат:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Сауда атауы:

EasyBRIDGE

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

325 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

100 ns

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Бөлім # Бүркеншік аттар:

DDB2U50N08W1R_B23 SP001622470

Tags

DDB2U5, DDB2U, DDB2, DDB