SIHF15N65E-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220FP-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

15 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

280 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

48 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

34 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

15.9 mm

Ұзындығы:

10.5 mm

Серия:

E

Ені:

4.69 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Күз уақыты:

25 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

24 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

48 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns

Бірлік салмағы:

0.211644 oz

Tags

SIHF15, SIHF1, SIHF, SIH