IPD90N04S4L-04

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

90 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V, 16 V

Qg - қақпа заряды:

60 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

71 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Серия:

OptiMOS-T2

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

28 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPD90N04S4L04ATMA1 IPD9N4S4L4XT SP000646188

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IPD90N04S4L-0, IPD90N04S4L, IPD90N04S4, IPD90N04, IPD90N0, IPD90N, IPD90, IPD9, IPD