TPCP8J01(TE85L,F,M

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PS8-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арнасы, NPN

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

32 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

27 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

34 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.06 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.8 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Серия:

TPCP8J01

Транзистор түрі:

1 P-Channel, NPN

Түрі:

Өріс әсерінің транзисторы кремний P арнасы MOS түрі

Ені:

2.4 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

90 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

12 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.8 ns

Tags

TPCP8J01(T, TPCP8J, TPCP8, TPCP, TPC