OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

AS4C32M16D1-5BANTR

AS4C32M16D1-5BANTR
Mfr. #:
AS4C32M16D1-5BANTR
Өндіруші:
Alliance Memory
Сипаттама:
DRAM 512M 2.5V 200MHz 32Mx16 DDR1 A-Temp
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
AS4C32M16D1-5BANTR Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
AS4C32M16D1-5BANTR Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Альянс жады
Өнім санаты:
DRAM
RoHS:
Y
Түрі:
SDRAM - DDR1
Деректер шинасының ені:
16 bit
Ұйымдастыру:
32 M x 16
Пакет/қорап:
FBGA-60
Жад өлшемі:
512 Mbit
Максималды сағат жиілігі:
200 MHz
Қол жеткізу уақыты:
0.7 ns
Қоректендіру кернеуі - Макс:
2.7 V
Қоректендіру кернеуі - Мин:
2.3 V
Жабдықтау тогы - Макс:
108 mA
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 40 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 105 C
Серия:
AS4C32M16D1
Қаптама:
Ролик
Бренд:
Альянс жады
Орнату стилі:
SMD/SMT
Ылғалға сезімтал:
Иә
Өнім түрі:
DRAM
Зауыттық буманың саны:
2500
Ішкі санат:
Жад және деректерді сақтау
Tags
AS4C32M16D1-5B, AS4C32M16D1-5, AS4C32M16D1, AS4C32M16D, AS4C32M1, AS4C3, AS4C, AS4
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
DDR1 Synchronous DRAM
Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.
Сурет Бөлім № Сипаттама
AS4C32M16D2A-25BAN

Mfr.#: AS4C32M16D2A-25BAN

OMO.#: OMO-AS4C32M16D2A-25BAN

 DRAM
AS4C32M16D1A-5TIN

Mfr.#: AS4C32M16D1A-5TIN

OMO.#: OMO-AS4C32M16D1A-5TIN

 DRAM
AS4C32M16MD1A-5BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16MD1A-5BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16MD1A-5BCNTR

 DRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16
AS4C32M16D3L-12BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16D3L-12BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16D3L-12BCNTR

 DRAM 512M 1.35V 800Mhz 32M x 16 DDR3
AS4C32M16SM-7TCN

Mfr.#: AS4C32M16SM-7TCN

OMO.#: OMO-AS4C32M16SM-7TCN

 DRAM 512Mb, 3.3v, 133Mhz 32M x 16 SDR
AS4C32M16MS-7BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16MS-7BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16MS-7BCNTR

 DRAM 512M 1.8V 133MHz 32Mx16 LP MSDR
AS4C32M16D2A-25BCN

Mfr.#: AS4C32M16D2A-25BCN

OMO.#: OMO-AS4C32M16D2A-25BCN-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
AS4C32M16D1-5BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16D1-5BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16D1-5BCNTR-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA
AS4C32M16D2-25BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16D2-25BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16D2-25BCNTR-ALLIANCE-MEMORY

 DRAM 512M, 1.8V, 32M x 16 DDR2
AS4C32M16D3-12BIN

Mfr.#: AS4C32M16D3-12BIN

OMO.#: OMO-AS4C32M16D3-12BIN-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
2000
Саны енгізіңіз:
AS4C32M16D1-5BANTR ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
More Newest Products
Top