SI7998DP-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

E

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

25 A, 30 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

9.3 mOhms, 5.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

26 nC, 48 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

22 W, 40 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Серия:

SI7

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

45 S, 71 S

Күз уақыты:

10 ns, 13 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns, 17 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns, 35 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns, 26 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SI7998DP-GE3

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

SI799, SI79, SI7