SQD50P04-09L_T4GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

50 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

9.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

- 2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

155 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

136 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

46 S

Күз уақыты:

19 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

61 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Tags

SQD50P04-0, SQD50P04, SQD50P, SQD50, SQD5, SQD