AUIRFN8401TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PQFN-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

84 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

44 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

4.2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.83 mm

Ұзындығы:

6 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

144 S

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

13 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.1 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001522256

Tags

AUIRFN8401, AUIRFN840, AUIRFN8, AUIRFN, AUIRF, AUIR, AUI