TK6Q60W,S1VQ

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-251-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

680 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.7 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

12 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

60 W

Конфигурация:

Бойдақ

Сауда атауы:

DTMOSIV

Биіктігі:

6.1 mm

Ұзындығы:

6.65 mm

Серия:

TK6Q60W

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

2.3 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

7 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

18 ns

Зауыттық буманың саны:

75

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

55 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

40 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

TK6Q60W, TK6Q60, TK6Q, TK6