CSD88539NDT

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOIC-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11.7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

28 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.6 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

7.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.1 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Серия:

CSD88539ND

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Texas Instruments

Күз уақыты:

4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9 ns

Зауыттық буманың саны:

250

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

14 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5 ns

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

CSD8853, CSD885, CSD88, CSD8, CSD